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三星高頻低損耗陶瓷電容（如COG/NPO介質(zhì)類型）在光模塊中可通過材料特性優(yōu)化、布局設(shè)計優(yōu)化及多電容協(xié)同配置等策略，顯著提升電源完整性與EMI性能，具體優(yōu)化方向及效果如下： 一、材料特性優(yōu)化：高頻...[查看詳情]
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在電源設(shè)計中，電源完整性與電磁干擾（EMI）控制是兩大核心挑戰(zhàn)。隨著電子設(shè)備向高頻化、小型化發(fā)展，傳統(tǒng)電解電容因體積大、寄生參數(shù)顯著，已難以滿足現(xiàn)代電源的嚴苛需求。貼片電容憑借其低寄生參數(shù)、高頻響應(yīng)特性...[查看詳情]
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三星陶瓷電容容值漂移問題可通過優(yōu)化制造工藝、控制環(huán)境應(yīng)力、規(guī)范操作流程等系統(tǒng)性措施解決，具體分析如下： 一、制造工藝優(yōu)化 1、電極漿料控制 問題根源：電極漿料涂布不均會導(dǎo)致內(nèi)電極...[查看詳情]
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貼片電容擊穿的條件是電場強度超過介質(zhì)材料的耐受極限，具體表現(xiàn)為實際工作電壓超過其額定電壓并達到擊穿閾值；原因包括過電壓沖擊、制造缺陷、環(huán)境因素和操作不當?shù)龋唧w分析如下： 擊穿條件 ...[查看詳情]
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